BSO220N03MDGXUMA1 Preise (USD) [237610Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1 elektronische Komponenten. BSO220N03MDGXUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO220N03MDGXUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO220N03MDGXUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 15V
Leistung max :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
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