DMHC4035LSDQ-13 Preise (USD) [167961Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMHC4035LSDQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 31V 40V SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13 elektronische Komponenten. DMHC4035LSDQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMHC4035LSDQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMHC4035LSDQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMHC4035LSDQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 31V 40V SO-8
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Leistung max :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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