IRF7779L2TRPBF Preise (USD) [34569Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF7779L2TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRF7779L2TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7779L2TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
375A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6660pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET L8
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric L8
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