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Microsemi Corporation - APTC60DAM24CT1G

KEY Part #: K6403807

[2230Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTC60DAM24CT1G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 95A SP4.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC60DAM24CT1G elektronische Komponenten. APTC60DAM24CT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC60DAM24CT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC60DAM24CT1G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTC60DAM24CT1G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 95A SP4
    Serie : CoolMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 95A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 47.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 462W (Tc)
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Supplier Device Package : SP4
    Paket / fall : SP4

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