Diodes Incorporated - ZXMN6A07ZTA

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ZXMN6A07ZTA Preise (USD) [344906Stück Lager]

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Artikelnummer:
ZXMN6A07ZTA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A07ZTA Produkteigenschaften

Artikelnummer : ZXMN6A07ZTA
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 166pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-89-3
Paket / fall : TO-243AA

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