Infineon Technologies - IRF1010EZSTRLP

KEY Part #: K6399299

IRF1010EZSTRLP Preise (USD) [101731Stück Lager]

  • 1 pcs$0.38436
  • 800 pcs$0.32931

Artikelnummer:
IRF1010EZSTRLP
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP elektronische Komponenten. IRF1010EZSTRLP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF1010EZSTRLP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF1010EZSTRLP Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF1010EZSTRLP
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2810pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Sie könnten auch interessiert sein an