IPD60N10S4L12ATMA1 Preise (USD) [173756Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1 elektronische Komponenten. IPD60N10S4L12ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD60N10S4L12ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD60N10S4L12ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 46µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3170pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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