IXYS - IXFR32N100Q3

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IXFR32N100Q3 Preise (USD) [2922Stück Lager]

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  • 10 pcs$15.77073
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Artikelnummer:
IXFR32N100Q3
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR32N100Q3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFR32N100Q3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9940pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 570W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOPLUS247™
Paket / fall : TO-247-3

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