PHT6NQ10T,135 Preise (USD) [281605Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHT6NQ10T,135
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 3A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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PHT6NQ10T,135 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHT6NQ10T,135
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-73
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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