Vishay Siliconix - IRLI640G

KEY Part #: K6414116

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    Artikelnummer:
    IRLI640G
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRLI640G elektronische Komponenten. IRLI640G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLI640G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLI640G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRLI640G
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.9A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.9A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-3
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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