PHB29N08T,118 Preise (USD) [274771Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PHB29N08T,118
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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PHB29N08T,118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHB29N08T,118
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
11V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 14A, 11V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
810pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
88W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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