IPB020NE7N3GATMA1 Preise (USD) [30754Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB020NE7N3GATMA1 elektronische Komponenten. IPB020NE7N3GATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB020NE7N3GATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB020NE7N3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB020NE7N3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 273µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14400pF @ 37.5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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