Artikelnummer :
SPI15N65C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 675µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
63nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA