IPA60R125CFD7XKSA1 Preise (USD) [19084Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- HIGH POWERNEW.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1 elektronische Komponenten. IPA60R125CFD7XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPA60R125CFD7XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPA60R125CFD7XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPA60R125CFD7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
HIGH POWERNEW
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 390µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1503pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
32W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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