QS5U16TR Preise (USD) [450270Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- QS5U16TR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor QS5U16TR elektronische Komponenten. QS5U16TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu QS5U16TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
QS5U16TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
QS5U16TR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
175pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
900mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TSMT5
Paket / fall :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
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