DMP2005UFG-13 Preise (USD) [245178Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMP2005UFG-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMP2005UFG-13 elektronische Komponenten. DMP2005UFG-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMP2005UFG-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMP2005UFG-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMP2005UFG-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 10V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4670pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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