Renesas Electronics America - 2SK1835-E

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2SK1835-E Preise (USD) [12469Stück Lager]

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Artikelnummer:
2SK1835-E
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SK1835-E Produkteigenschaften

Artikelnummer : 2SK1835-E
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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