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- Artikelnummer:
- TK60D08J1(Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 60A TO220W.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TK60D08J1(Q) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK60D08J1(Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5450pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
140W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220(W)
Paket / fall :
TO-220-3
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