Artikelnummer :
SSM3K59CTB,L3F
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
215 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.2V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
130pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
CST3B
Paket / fall :
3-SMD, No Lead