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- Artikelnummer:
- IRLR4343TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLR4343TRPBF elektronische Komponenten. IRLR4343TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLR4343TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRLR4343TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLR4343TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
740pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
79W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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