IXYS - IXTT2N170D2

KEY Part #: K6398944

IXTT2N170D2 Preise (USD) [4903Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTT2N170D2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTT2N170D2 elektronische Komponenten. IXTT2N170D2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTT2N170D2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT2N170D2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTT2N170D2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3650pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 568W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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