Artikelnummer :
STU8NM60ND
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
70W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA