STB7ANM60N Preise (USD) [59536Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STB7ANM60N
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STB7ANM60N elektronische Komponenten. STB7ANM60N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STB7ANM60N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STB7ANM60N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STB7ANM60N
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
363pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
45W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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