IXFH12N100 Preise (USD) [6327Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH12N100
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH12N100 elektronische Komponenten. IXFH12N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH12N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH12N100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH12N100
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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