FQU12N20TU Preise (USD) [163825Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQU12N20TU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQU12N20TU elektronische Komponenten. FQU12N20TU kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQU12N20TU haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQU12N20TU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQU12N20TU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
910pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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