Artikelnummer :
IPI80P04P4L04AKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH TO262-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
176nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3800pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA