DMT6012LFDF-7 Preise (USD) [341867Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT6012LFDF-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMT6012LFDF-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT6012LFDF-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
785pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
900mW (Ta), 11W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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