TK46E08N1,S1X Preise (USD) [2044Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK46E08N1,S1X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 80A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
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- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK46E08N1,S1X elektronische Komponenten. TK46E08N1,S1X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK46E08N1,S1X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK46E08N1,S1X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK46E08N1,S1X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
103W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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