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- Artikelnummer:
- IRL2203NSTRR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL2203NSTRR elektronische Komponenten. IRL2203NSTRR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL2203NSTRR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL2203NSTRR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL2203NSTRR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3290pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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