TPH3205WSB Preise (USD) [4174Stück Lager]
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- 10 pcs$9.89007
- 100 pcs$8.44670
- Artikelnummer:
- TPH3205WSB
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 36A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TPH3205WSB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH3205WSB
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 36A TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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