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- Artikelnummer:
- IRFB9N30A
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFB9N30A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFB9N30A
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
96W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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