NX3008PBKMB,315 Preise (USD) [2083810Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NX3008PBKMB,315
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. NX3008PBKMB,315 elektronische Komponenten. NX3008PBKMB,315 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NX3008PBKMB,315 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NX3008PBKMB,315 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NX3008PBKMB,315
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.72nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
46pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN1006B-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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