IXFT58N20Q Preise (USD) [8356Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT58N20Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT58N20Q elektronische Komponenten. IXFT58N20Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT58N20Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT58N20Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT58N20Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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