DMNH6021SK3-13 Preise (USD) [260504Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMNH6021SK3-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 60V 50A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMNH6021SK3-13 elektronische Komponenten. DMNH6021SK3-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMNH6021SK3-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMNH6021SK3-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMNH6021SK3-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET NCH 60V 50A TO252
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1143pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-4L
Paket / fall :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
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