IPW65R080CFDAFKSA1 Preise (USD) [7014Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPW65R080CFDAFKSA1 elektronische Komponenten. IPW65R080CFDAFKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPW65R080CFDAFKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPW65R080CFDAFKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPW65R080CFDAFKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
Serie :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
43.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.76mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
161nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4440pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
391W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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