SQ3481EV-T1_GE3 Preise (USD) [366462Stück Lager]
- 1 pcs$0.10093
- Artikelnummer:
- SQ3481EV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ3481EV-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ3481EV-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ3481EV-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ3481EV-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ3481EV-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
4W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-TSOP
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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