Texas Instruments - CSD18543Q3AT

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Artikelnummer:
CSD18543Q3AT
Hersteller:
Texas Instruments
Detaillierte Beschreibung:
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Texas Instruments CSD18543Q3AT elektronische Komponenten. CSD18543Q3AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CSD18543Q3AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD18543Q3AT Produkteigenschaften

Artikelnummer : CSD18543Q3AT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 66W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSON (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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