DMP31D0UFB4-7B Preise (USD) [694654Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMP31D0UFB4-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - SCRs - Module ...
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DMP31D0UFB4-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMP31D0UFB4-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
540mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
76pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
460mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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