ON Semiconductor - MTP10N10ELG

KEY Part #: K6411408

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    Artikelnummer:
    MTP10N10ELG
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor MTP10N10ELG elektronische Komponenten. MTP10N10ELG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MTP10N10ELG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MTP10N10ELG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : MTP10N10ELG
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.75W (Ta), 40W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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