N0603N-S23-AY Preise (USD) [106032Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- N0603N-S23-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America N0603N-S23-AY elektronische Komponenten. N0603N-S23-AY kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu N0603N-S23-AY haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
N0603N-S23-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
N0603N-S23-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
133nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7730pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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