Renesas Electronics America - N0603N-S23-AY

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Artikelnummer:
N0603N-S23-AY
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0603N-S23-AY Produkteigenschaften

Artikelnummer : N0603N-S23-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7730pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA