FDS3572 Preise (USD) [130505Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDS3572
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS3572 elektronische Komponenten. FDS3572 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS3572 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDS3572 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDS3572
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1990pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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