IXYS - IXFH150N15P

KEY Part #: K6416084

IXFH150N15P Preise (USD) [11910Stück Lager]

  • 1 pcs$3.82521
  • 30 pcs$3.80618

Artikelnummer:
IXFH150N15P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 150A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH150N15P elektronische Komponenten. IXFH150N15P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH150N15P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH150N15P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH150N15P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 150A TO-247
Serie : PolarHT™ HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 714W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-247-3

Sie könnten auch interessiert sein an