STMicroelectronics - STP5NB60

KEY Part #: K6414345

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    Artikelnummer:
    STP5NB60
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 5A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STP5NB60 elektronische Komponenten. STP5NB60 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STP5NB60 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP5NB60 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STP5NB60
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
    Serie : PowerMESH™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 884pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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