RUC002N05HZGT116 Preise (USD) [2710765Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RUC002N05HZGT116
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 1.2V DRIVE NCH MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - spezieller Zweck ...
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RUC002N05HZGT116 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RUC002N05HZGT116
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
25pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
350mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SST3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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