Nexperia USA Inc. - PMXB120EPEZ

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Artikelnummer:
PMXB120EPEZ
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB120EPEZ Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMXB120EPEZ
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 309pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN1010D-3
Paket / fall : 3-XDFN Exposed Pad