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Microsemi Corporation - APTM100DA18TG

KEY Part #: K6396611

APTM100DA18TG Preise (USD) [1374Stück Lager]

  • 1 pcs$31.66919
  • 100 pcs$31.51163
Artikelnummer:
APTM100DA18TG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100DA18TG elektronische Komponenten. APTM100DA18TG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100DA18TG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DA18TG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM100DA18TG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 372nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 780W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP4
Paket / fall : SP4

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