IRL60HS118 Preise (USD) [214022Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRL60HS118
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRL60HS118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL60HS118
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
11.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-PQFN (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
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