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Microsemi Corporation - APT12F60K

KEY Part #: K6408999

[434Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APT12F60K
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - JFETs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT12F60K elektronische Komponenten. APT12F60K kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT12F60K haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT12F60K Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APT12F60K
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 500µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 225W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220 [K]
    Paket / fall : TO-220-3

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