IXYS - IXTP6N50D2

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Artikelnummer:
IXTP6N50D2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTP6N50D2 elektronische Komponenten. IXTP6N50D2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTP6N50D2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP6N50D2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTP6N50D2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3

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