STMicroelectronics - STFW6N120K3

KEY Part #: K6392611

STFW6N120K3 Preise (USD) [11882Stück Lager]

  • 1 pcs$3.46831
  • 300 pcs$2.35695

Artikelnummer:
STFW6N120K3
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFW6N120K3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STFW6N120K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOWATT-218FX
Paket / fall : ISOWATT218FX

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